Учебный экспонат Эффект Холла в полупроводниках

Назначение Изучение эффекта Холла; Измерение зависимости ЭДС Холла от величины индукции магнитного поля и тока через образец; Определение постоянной Холла и концентрации носителей тока в образце. Устройство Основу установки составляет электромагнит, в разрыв магнитопровода которого помещается исследуемый образец из полупроводникового материала и чувствительный элемент датчика магнитного поля. Для питания электромагнита и полупроводникового образца используются однополярные источники постоянного тока. Изменение направления магнитного поля и направления тока в образце производится с помощью переключения штекерных разъемов. Описание Выполнение лабораторной работы предусматривает т построение двух зависимостей а) зависимости ЭДС Холла от силы тока в образце при постоянной магнитной индукции и б) зависимости ЭДС Холла от индукции магнитного поля при постоянном токе через образец. Для этого компьютерный сценарий работы обеспечивает ввод данных в таблицы, вывод соответствующих столбцов на график в виде абсцисс и ординат точек, построение прямых, наилучшим образом аппроксимирующих данные и вывод на экран их угловых коэффициентов. Габариты установки 800х380х260мм